RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
63
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,583.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,895.6
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,583.7
15.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
639
2961
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link