RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
63
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,583.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,895.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,583.7
10.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
639
2708
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link