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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Comparar
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de 5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1570
2213
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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