RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1453
3075
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparações de RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A2400C10 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R938G2130U2S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X300KG-HYA 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link