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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
63
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
9.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2383
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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