RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
63
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3350
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link