RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
63
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
15.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3781
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link