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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
63
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
44
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
10.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2170
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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