RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
63
Por volta de -174% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
12.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2659
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link