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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
63
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
1967
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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