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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
63
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
43
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2885
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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