RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
63
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3133
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link