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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
63
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3125
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
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