RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
63
Por volta de -250% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
18
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
21.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3778
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link