RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
63
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
16.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3912
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link