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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
63
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
16.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3741
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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