RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
22.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
63
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
16.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3837
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link