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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
63
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3033
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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