STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641152 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs INTENSO 5641152 4GB

Pontuação geral
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Pontuação geral
star star star star star
INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 14.1
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 63
    Por volta de -174% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    6.8 left arrow 1,447.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    63 left arrow 23
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,231.0 left arrow 14.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,447.3 left arrow 6.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    478 left arrow 2215
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações