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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
63
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
10.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2769
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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