RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
63
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
9.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2359
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link