RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
63
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
11.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2697
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link