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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
63
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
7.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2013
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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