RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
63
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
51
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2570
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link