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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
63
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
10.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2588
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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