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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
63
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2780
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
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