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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
63
Por volta de -174% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
8.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2532
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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