RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
63
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
10.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2159
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link