RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
67
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
67
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
9.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
1879
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link