RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Comparar
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Pontuação geral
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1990
3298
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparações de RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link