RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
19.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3572
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link