RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston XJV223-MIE 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Kingston XJV223-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston XJV223-MIE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
46
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
39
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
11.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3127
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link