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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
79
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
79
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
1710
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
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Kingston 9905678-033.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
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