RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,852.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
5,535.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,852.4
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2900
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link