RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
87
Por volta de -129% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
9.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2687
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link