RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
70
87
Por volta de -24% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
70
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
8.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
1971
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
AMD AP34G1608U1K 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link