RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
87
Por volta de -314% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2801
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Inmos + 256MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link