RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
87
Por volta de -118% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
40
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
12.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3020
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link