RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
87
Por volta de -200% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2810
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Mushkin 992008 (997008) 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link