RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
87
Por volta de -190% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
14.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3389
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link