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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
87
Por volta de -172% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
14.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3340
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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