RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
87
Por volta de -200% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
13.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3302
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link