RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
55
87
Por volta de -58% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
55
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
11.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2457
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link