RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
87
Por volta de -211% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
16.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3889
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link