RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
20.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
87
Por volta de -263% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
20.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
4029
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link