RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
87
Por volta de -129% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
13.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3246
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link