RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
87
Por volta de -222% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
7.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2356
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link