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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
6.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
74
87
Por volta de -18% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
74
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
6.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
1636
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
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