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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
10.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
87
Por volta de -190% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
10.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
2580
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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