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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
4.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
87
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.3
3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
59
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
7.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
4.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
1421
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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